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IXTA130N10T7

更新时间： 2024-09-14 20:03:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 128K
描述
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 100V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, PLASTIC PACKAGE-7

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IXTA130N10T7 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-263包装说明：PLASTIC PACKAGE-7
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：400 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：130 A
最大漏极电流 (ID)：130 A最大漏源导通电阻：0.0091 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263
JESD-30 代码：R-PSSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：360 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTA130N10T7 数据手册

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TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTA130N10T7  
VDSS = 100V  
ID25 = 130A  
RDS(on) ≤ 9.1mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (7-lead) (IXTA..7)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
100  
100  
V
V
VDGR  
1
VGSM  
Transient  
± 20  
V
7
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
130  
120  
350  
A
A
A
(TAB)  
Pins: 1 - Gate  
2, 3 - Source  
4 - NC (cut)  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
65  
400  
360  
A
mJ  
W
EAS  
PD  
5,6,7 - Source  
TAB (8) - Drain  
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Features  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
ꢀ
Ultra-low On Resistance  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
175°C Operating Temperature  
ꢀ
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
ꢀ
ꢀ
Weight  
3
g
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
ꢀ
ꢀ
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
ꢀ
Automotive  
BVDSS  
VGS(th)  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
100  
2.5  
V
V
- Motor Drives  
- 42V Power Bus  
4.5  
- ABS Systems  
IGSS  
IDSS  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
±200 nA  
μA  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary Switch for 24V and 48V  
Systems  
Distributed Power Architechtures  
and VRMs  
Electronic Valve Train Systems  
High Current Switching  
ꢀ
VDS = VDSS  
VGS = 0V  
5
TJ = 150°C  
250 μA  
9.1 mΩ  
ꢀ
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 25A, Notes 1, 2  
ꢀ
ꢀ
Applications  
High Voltage Synchronous Recifier  
ꢀ
DS99707A(07/08)  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
12345

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IXTA130N10T7 替代型号

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