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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-263 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-7 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 400 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 130 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 130 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0091 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 360 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 350 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTQ130N10T | IXYS |
类似代替  |
TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXFA130N10T | IXYS |
类似代替 |
TrenchMV Power MOSFET HiperFET |
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| IXFP130N10T | IXYS |
类似代替 |
TrenchMV Power MOSFET HiperFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTA130N15X4 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA130N15X4-7 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA130N15X4A | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA140N055T2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 55V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTA140N055T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTA140N12T2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA140N12T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA140P05T | IXYS |
获取价格 |
TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTA140P05T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTA14N60P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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