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IXTA130N065T2

更新时间： 2024-09-14 21:12:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	199K
描述
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 65V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IXTA130N065T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	600 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	130 A
最大漏极电流 (ID)：	130 A	最大漏源导通电阻：	0.0066 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	330 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTA130N065T2 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchT2^TM

Power MOSFET

IXTA130N065T2

IXTP130N065T2

V_DSS= 65V

I_D25= 130A

R_DS(on)≤ 6.6mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_DGR

V_GSM

Transient

± 20

(TAB)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

130

TO-220 (IXTP)

330

I_A

T_C= 25°C

600

250

E_AS

P_D

(TAB)

T_J

-55 ... +175

175

°C

G = Gate

= Drain

T_JM

T_stg

S = Source

TAB = Drain

-55 ... +175

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Features

M_d

Mounting torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zInternational standard packages

^z175°C Operating Temperature

^zAvalanche rated

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

^zHigh current handling capability

Low R_DS(on)

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

Applications

2.0

4.0

±200 nA

μA

Automotive

- Motor Drives

- 12V Battery

- ABS Systems

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary- Side Switch

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 150°C

150 μA

6.6 mΩ

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 50A, Notes 1, 2

High Current Switching Applications

DS100050(10/08)

12 3 4 5 6

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与IXTA130N065T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA130N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA130N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA130N10T7	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 100V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTA130N10T7	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA130N15X4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA130N15X4-7	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA130N15X4A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA140N055T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 55V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA140N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA140N12T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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