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IXTA12N50P

更新时间： 2024-09-14 12:31:19

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IXYS		/
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5页	164K
描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTA12N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	TO-263, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	8.32
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	600 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTA12N50P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

IXTA12N50P

IXTI12N50P

IXTP12N50P

V_DSS= 500V

I_D25= 12A

R_DS(on)≤ 500mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

500

(TAB)

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

Leaded TO-263 (IXTI)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C= 25°C

600

(TAB)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

200

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

TO-220 (IXTP)

T_L

1.6mm (0.062) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

(TAB)

M_d

Mounting torque

Mounting force

(TO-220)

(TO-263)

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

N/lb.

G = Gate

S = Source

= Drain

Weight

TO-263

Leaded TO-263

TO-220

2.5

2.8

3.0

TAB = Drain

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

^zLow package inductance

easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

500

3.0

5.5

Advantages

±100 nA

μA

Easy to mount

Space savings

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

250 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

500 mΩ

DS99322F(04/08)

12 3 4 5

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IXTA12N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP12N50P	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFP12N50P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiperFET
IXFA12N50P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiperFET

与IXTA12N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA12N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA12N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA12N70X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA130N065T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 65V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA130N065T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA130N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA130N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA130N10T7	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 100V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTA130N10T7	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA130N15X4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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