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IXTA130N065T2

更新时间： 2024-11-06 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
7页 232K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

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IXTA130N065T2 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Base Number Matches：1

IXTA130N065T2 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchT2TM  
Power MOSFET  
IXTA130N065T2  
IXTP130N065T2  
VDSS = 65V  
ID25 = 130A  
RDS(on) ≤ 6.6mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
65  
65  
V
V
G
S
VDGR  
VGSM  
Transient  
± 20  
V
(TAB)  
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
130  
75  
A
A
A
TO-220 (IXTP)  
330  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
65  
600  
250  
A
mJ  
W
EAS  
PD  
G
D
(TAB)  
S
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
G = Gate  
D
= Drain  
TJM  
Tstg  
S = Source  
TAB = Drain  
-55 ... +175  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
Md  
Mounting torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
z International standard packages  
z 175°C Operating Temperature  
z Avalanche rated  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
z High current handling capability  
z
Low RDS(on)  
Advantages  
z
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
65  
V
V
Applications  
2.0  
4.0  
z
±200 nA  
μA  
Automotive  
- Motor Drives  
- 12V Battery  
- ABS Systems  
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary- Side Switch  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0V  
5
TJ = 150°C  
150 μA  
6.6 mΩ  
z
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 50A, Notes 1, 2  
z
z
High Current Switching Applications  
DS100050(10/08)  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
1234567

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与IXTA130N065T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA130N10T IXYS

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 		TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA130N10T LITTELFUSE

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 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA130N10T7 IXYS

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IXTA130N10T7 LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
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 		Power Field-Effect Transistor,
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 		Power Field-Effect Transistor,
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