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IXTA12N65X2

更新时间： 2024-11-18 20:09:27

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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA12N65X2 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.54
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IXTA12N65X2 数据手册

Preliminary Technical Information

X2-Class

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 12A

R_DS(on) 300m

IXTA12N65X2

IXTP12N65X2

IXTH12N65X2

N-Channel Enhancement Mode

TO-263 AA (IXTA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXTP)

T_J= 25C to 150C

650

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-247 (IXTH)

I_A

T_C= 25C

E_AS

300

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

180

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10.65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Low Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650



2.5

4.5

Applications

100 nA

A



I_DSS

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

T_J= 125C

50 A



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

300 m



Robotics and Servo Controls

DS100670A(01/16)

12 3 4 5 6

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与IXTA12N65X2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA12N70X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA130N065T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 65V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA130N065T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA130N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA130N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA130N10T7	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 100V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTA130N10T7	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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