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IXTA110N055T7

更新时间： 2024-11-21 21:21:47

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	194K
描述
Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 55V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, TO-263, 6 PIN

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IXTA110N055T7 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	TO-263, 6 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	112 A
最大漏源导通电阻：	0.007 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263	JESD-30 代码：	R-PSFM-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTA110N055T7 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchMV^TM

Power MOSFET

V_DSS= 55

I_D25= 110

R_DS(on)≤ 7.0 mΩ

IXTA110N055T7

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 (7-lead) (IXTA..7)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

Transient

I_D25

I_DM

T_C=25°C

110

300

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

(TAB)

Pin-out:1 - Gate

I_AR

E_AS

T_C=25°C

750

2, 3 - Source

4 - NC (cut)

5,6,7 - Source

TAB (8) - Drain

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤175° C, R_G= 5 Ω

V/ns

T_C=25°C

230

Features

^ꢀUltra-low On Resistance

^ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^ꢀLow package inductance

- easy to drive and to protect

^ꢀ175 ° C Operating Temperature

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Weight

Advantages

ꢀ

Easy to mount

Space savings

ꢀ

High power density

Applications

ꢀ

Automotive

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

- Motor Drives

- High Side Switch

- 12VBattery

(T_J= 25° C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 100 µA

- ABS Systems

2.0

4.0

ꢀ

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary- Side Switch

High Current Switching

ꢀ

V_GS

20 V, V_DS= 0 V

200

ꢀ

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

Applications

T_J= 150° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 25 A, Note 1

5.5

7.0 mΩ

DS99680 (11/06)

12 3 4 5

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