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IXTA120N04T2

更新时间： 2024-09-14 19:58:07
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 312K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA120N04T2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IXTA120N04T2 数据手册

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TrenchT2TM  
Power MOSFET  
VDSS = 40V  
ID25 = 120A  
RDS(on) 6.1m  
IXTA120N04T2  
IXTP120N04T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
G
S
D (Tab)  
TO-220 (IXTP)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 175C  
40  
40  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 175C, RGS = 1M  
VGSM  
Transient  
20  
V
G
D
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
120  
360  
A
A
S
D (Tab)  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
50  
A
G = Gate  
S = Source Tab = Drain  
D
= Drain  
EAS  
400  
mJ  
PD  
TC = 25C  
200  
W
TJ  
-55 ... +175  
175  
C  
C  
C  
Features  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
International Standard Packages  
Avalanche Rated  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
175°C Operating Temperature  
High Current Handling Capability  
ROHS Compliant  
High Performance Trench  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Technology for extremely low RDS(on)  
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 250A  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
40  
V
V
Applications  
2.0  
4.0  
Automotive Engine Control  
Synchronous Buck Converter  
           100 nA  
A  
IDSS  
2
(for Notebook SystemPower &  
TJ = 150C  
VGS = 10V, ID = 25A, Notes 1 & 2  
50 A  
6.1 m  
General Purpose Point & Load)  
DC/DC Converters  
High Current Switching Applications  
RDS(on)  
Power Train Management  
Distributed Power Architecture  
  
DS99973B(7/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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与IXTA120N04T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA120N075T2 IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA120N075T2 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA120P065T IXYS

获取价格

 		TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode
IXTA120P065T LITTELFUSE

获取价格

 		Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTA120P065T-TRL IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA12N50P IXYS

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 		N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA12N50P LITTELFUSE

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 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA12N65X2 LITTELFUSE

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