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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 3.95 |
| Samacsys Description： | MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTQ10P50P | IXYS |
完全替代  |
PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
|
| IXTA10P50P | IXYS |
完全替代 |
PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
|
| IXTH10P50P | IXYS |
功能相似 |
PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP110N055P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT Power MOSFET |
|
| IXTP110N055T2 | IXYS |
获取价格 |
DC to DC Synchronous Converter Design |
|
| IXTP110N055T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
|
| IXTP110N12T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
|
| IXTP11P15 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 |
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| IXTP11P20 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 |
|
| IXTP120N04T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTP120N04T2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0061ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXTP120N075T2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXTP120N075T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
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