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IXTP130N15X4A

更新时间： 2024-04-02 21:14:49
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅存储栅极
页数 文件大小 规格书
6页 262K
描述
这些IXTP130N15X4A器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低的功率MOSFET。较低的通态电阻可减少传导损失；还能减少存储在输出电容中的能量

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Advance Technical Information  
X4-Class  
VDSS = 150V  
ID25 = 130A  
RDS(on) 8.5m  
IXTP130N15X4A  
Power MOSFETTM  
AEC Q101 Qualified  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-220  
(IXTP)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
D
TJ = 25C to 150C  
150  
150  
V
V
S
D (Tab)  
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
130  
240  
A
A
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
65  
A
EAS  
800  
mJ  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
10  
V/ns  
W
Features  
400  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
International Standard Package  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Low Package Inductance  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
Md  
Mounting Torque  
1.13 / 10  
3
Nm/lb.in  
g
High Power Density  
Easy to Mount  
Weight  
Space Savings  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
Robotics and Servo Controls  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
150  
V
V
2.5  
4.5  
100 nA  
A  
IDSS  
5
TJ = 125C  
200 A  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
7.0  
8.5 m  
DS100939A(9/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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