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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP120N04T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP120N04T2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0061ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTP120N075T2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTP120N075T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP120P065T | IXYS |
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TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode |
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| IXTP120P065T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTP12N50P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXTP12N50P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXTP12N50PM | IXYS |
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PolarTM Power MOSFET |
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| IXTP12N50PM | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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