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IXTP130N15X4

更新时间： 2023-12-06 20:12:25
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关栅存储栅极
页数 文件大小 规格书
7页 263K
描述
这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低的功率MOSFET。较低的通态电阻可减少传导损失；还能减少存储在输出电容中的能量，最大限度地减少开关损耗。

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IXTP130N15X4 数据手册

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X4-Class  
VDSS = 150V  
ID25 = 130A  
RDS(on) 8.5m  
IXTP130N15X4  
IXTH130N15X4  
Power MOSFETTM  
D
S
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
G
TO-220  
(IXTP)  
G
D
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
S
D (Tab)  
TJ = 25C to 150C  
150  
150  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
TO-247  
(IXTH)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
ID25  
IDM  
TC = 25C  
130  
240  
A
A
G
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
D
D (Tab)  
S
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
65  
A
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
EAS  
800  
mJ  
V/ns  
W
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
50  
400  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
International Standard Packages  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
Md  
Mounting Torque  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
Low Package Inductance  
Weight  
TO-220  
TO-247  
3
6
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
150  
V
V
Applications  
2.5  
4.5  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
100 nA  
A  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
Robotics and Servo Controls  
IDSS  
5
TJ = 125C  
200 A  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
7.0  
8.5 m  
DS100893B(11/19)  
© 2019 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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