5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTP110N055T2
IXTP110N055T2 PDF预览

IXTP110N055T2

更新时间： 2024-09-15 07:16:51
品牌 Logo 应用领域
IXYS 转换器
页数 文件大小 规格书
11页 200K
描述
DC to DC Synchronous Converter Design

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTP110N055T2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：400 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：110 A最大漏源导通电阻：0.0066 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTP110N055T2 数据手册

 浏览型号IXTP110N055T2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTP110N055T2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTP110N055T2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTP110N055T2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTP110N055T2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXTP110N055T2的Datasheet PDF文件第7页 
DC to DC Synchronous Converter Design  
Abdus Sattar, IXYS Corporation  
IXAN0068  
Modern power electronics products require small size and lighter weight of power  
electronics parts. Filter inductor and capacitor sizes must be small. With the small filter,  
the switching semiconductor devices must have small switching loss. And heat sink also  
must be reduced. For the safe operation with the small heat sink, the switching  
semiconductor devices must have small conduction loss. IXYS developed new generation  
of Trench MOSFET (Trench2TM), which has small gate charge and low on-resistance.  
The MOSFET will be well suited for high power applications of synchronous DC to DC  
converters used in various systems. The MOSFET is rugged and has avalanche energy  
capability.  
Table 1: Few Examples of IXYS TrenchT2TM N-Channel Power MOSFETs  
Vdss  
(max) Tc=25C  
(V) (A)  
Id  
@
Rds(on)  
@
Ciss  
(pF)  
Qg  
(nC  
)
trr @  
Tj=  
R(th)JC  
(°C/W)  
Pd  
Package  
Type  
Part Number  
EAS  
(mJ)  
(W)  
Tj=25°C  
(Ω)  
25°C  
(ns)  
600  
600  
300  
300  
400  
400  
600  
600  
300  
300  
400  
400  
IXTA220N04T2  
IXTP220N04T2  
IXTA90N055T2  
IXTP90N055T2  
IXTA110N055T2  
IXTP110N055T2  
IXTA200N055T2  
IXTP200N055T2  
IXTA70N075T2  
IXTP70N075T2  
IXTA90N075T2  
IXTP90N075T2  
360  
360  
150  
150  
180  
180  
360  
360  
150  
150  
180  
180  
TO‐263  
TO‐220  
TO‐263  
TO‐220  
TO‐263  
TO‐220  
TO‐263  
TO‐220  
TO‐263  
TO‐220  
TO‐263  
TO‐220  
40  
220  
0.0035  
0.0035  
0.0084  
0.0084  
0.0066  
0.0066  
0.0042  
0.0042  
0.012  
6500 112  
6500 112  
45  
45  
37  
37  
38  
38  
49  
49  
48  
48  
50  
50  
0.42  
0.42  
1.0  
40  
55  
55  
55  
55  
55  
55  
75  
75  
75  
75  
220  
90  
2670  
2670  
3060  
3060  
42  
42  
57  
57  
90  
1.0  
110  
110  
200  
200  
70  
0.82  
0.82  
0.42  
0.42  
1.0  
6800 109  
6800 109  
2580  
2580  
3100  
3100  
46  
46  
54  
54  
70  
0.012  
1.0  
90  
0.010  
0.82  
0.82  
90  
0.010  
DC-to-DC Synchronous Converter Design:  
Figure 1: Synchronous Buck Converter using IXYS TrenchT2TM Power MOSFET  
1
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与IXTP110N055T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTP110N12T2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP11P15 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220
IXTP11P20 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220
IXTP120N04T2 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTP120N04T2 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0061ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTP120N075T2 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTP120N075T2 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTP120P065T IXYS

获取价格

 		TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode
IXTP120P065T LITTELFUSE

获取价格

 		Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTP12N50P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IXTP110N055T2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证