Datasheet > IXTP120N04T2

IXTP120N04T2

更新时间： 2024-09-15 20:08:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	203K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0061ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTP120N04T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.0061 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP120N04T2 数据手册

TrenchT2^TM

Power MOSFET

V_DSS= 40V

I_D25= 120A

R_DS(on)≤ 6.1mΩ

IXTA120N04T2

IXTP120N04T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263

(TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_DGR

V_GSM

Transient

± 20

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

120

360

(TAB)

Drain

I_A

T_C= 25°C

400

200

G = Gate

S = Source

E_AS

P_D

TAB = Drain

T_J

-55 ... +175

175

°C

Features

T_JM

T_stg

^zInternational standard packages

^zAvalanche rated

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

^zLow package inductance

^z175°C Operating Temperature

^zHigh current handling capability

M_d

Mounting torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Low R_DS(on)

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

Applications

2.0

4.0

±100 nA

μA

• Synchronous Buck Converters

• High Current Switching Power

Supplies

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 150°C

50 μA

6.1 mΩ

• Battery Powered Electric Motors

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 25A, Notes 1, 2

• Resonant-mode power supplies

• Electronics Ballast Application

• Class D Audio Amplifiers

DS99973A(11/08)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXTP120N04T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP120N075T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTP120N075T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP120P065T	IXYS	获取价格	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode
IXTP120P065T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTP12N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTP12N50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTP12N50PM	IXYS	获取价格	PolarTM Power MOSFET
IXTP12N50PM	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP12N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP12N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXTP120N04T2相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

4
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

4
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

83
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

75

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP120N04T2

IXTP120N04T2 技术参数

IXTP120N04T2 数据手册

与IXTP120N04T2相关器件

与IXTP120N04T2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP120N04T2

IXTP120N04T2 技术参数

IXTP120N04T2 数据手册

与IXTP120N04T2相关器件

与IXTP120N04T2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？