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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 193K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.72 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP130N10T | IXYS |
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TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTP130N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTP130N15X4 | LITTELFUSE |
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这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低 | |
IXTP130N15X4A | LITTELFUSE |
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这些IXTP130N15X4A器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,打造出电阻RDS(o | |
IXTP140N055T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTP140N12T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTP140P05T | IXYS |
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TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTP140P05T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 | |
IXTP14N60P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET | |
IXTP14N60P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |