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IXTA110N055T2-TRL

更新时间： 2024-11-05 20:35:59
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
6页 256K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA110N055T2-TRL 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
Base Number Matches：1

IXTA110N055T2-TRL 数据手册

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TrenchT2TM  
Power MOSFET  
VDSS = 55V  
ID25 = 110A  
RDS(on) 6.6m  
IXTA110N055T2  
IXTP110N055T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
G
S
D (Tab)  
TO-220 (IXTP)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 175C  
55  
55  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 175C, RGS = 1M  
VGSM  
Transient  
20  
V
G
D
S
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
110  
300  
A
A
D (Tab)  
G = Gate  
S = Source Tab = Drain  
D
= Drain  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
50  
A
EAS  
400  
mJ  
PD  
TC = 25C  
180  
W
Features  
TJ  
-55 ... +175  
175  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
International Standard Packages  
Avalanche Rated  
Low Package Inductance  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Fast Intrinsic Rectifier  
175°C Operating Temperature  
High Current Handling Capability  
ROHS Compliant  
High Performance Trench  
FC  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Md  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Technology for extremely low RDS(on)  
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 250A  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
55  
V
V
Applications  
2.0  
4.0  
Automotive Engine Control  
Synchronous Buck Converter  
           200 nA  
A  
(for Notebook SystemPower &  
IDSS  
2
General Purpose Point & Load)  
DC/DC Converters  
High Current Switching Applications  
TJ = 150C  
VGS = 10V, ID = 25A, Notes 1 & 2  
200 A  
6.6 m  
RDS(on)  
5.5  
Power Train Management  
Distributed Power Architecture  
  
DS99955B(7/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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与IXTA110N055T2-TRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA110N055T7 IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 55V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA110N055T7 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA110N12T2 IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA110N12T2 LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0061ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA120N075T2 IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA120N075T2 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA120P065T IXYS

获取价格

 		TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode
IXTA120P065T LITTELFUSE

获取价格

 		Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱

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