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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 12 weeks | 风险等级： | 1.7 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 190 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.52 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB11N52K3 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 525 V, 0.41 ohm, 10 A SuperMESH3 Power MOSFET |
|
| FQB9N50CTM | FAIRCHILD |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF840ASPBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB11NM60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D |
|
| STB11NM60-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D |
|
| STB11NM60A-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP |
|
| STB11NM60FD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.40OHM - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK FDmesh TM Power MOSFET (with |
|
| STB11NM60FD-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE |
|
| STB11NM60FDT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE |
|
| STB11NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO |
|
| STB11NM60N-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.37ヘ - 10A - TO-220/FP- I/I |
|
| STB11NM60T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650V TJmax - 0.4OHM - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET |
|
| STB11NM60Z-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
11A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, I2PAK-3 |
|
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