IXFT36N50P

更新时间： 2024-11-18 11:14:07

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFT36N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.32
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A
最大漏极电流 (ID)：	36 A	最大漏源导通电阻：	0.17 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	540 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	90 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFT36N50P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

IXFH 36N50P

IXFT 36N50P

IXFV 36N50P

IXFV 36N50PS

V_DSS= 500 V

I_D25= 36 A

R_DS(on)≤ 170 mΩ

t_rr≤ 200 ms

Fast Intrinsic Diode

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

500

D (TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.5

D (TAB)

PLUS220 (IXFV)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 3 Ω

V/ns

T_C=25° C

540

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C PLUS220SMD (IXFV...S)

°C

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

PLUS220

D (TAB)

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

3.0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

Advantages

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

170 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99364E(03/06)

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IXFT36N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH36N50P	IXYS	完全替代	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXTH36N50P	IXYS	类似代替	PolarHV Power MOSFET
IXFH26N50P	IXYS	类似代替	Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode

与IXFT36N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT36N55Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFT36N55Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFT36N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT36N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT400N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFT400N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFT40N30Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT40N30Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFT40N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
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