是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-268AA | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 8.31 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 1700 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 44 A |
最大漏源导通电阻: | 0.14 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-268AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 110 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFT44N50Q3 | IXYS |
类似代替 |
HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class | |
IXFK44N50P | IXYS |
类似代替 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFH44N50P | IXYS |
类似代替 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFT44N50Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class | |
IXFT44N50Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 | |
IXFT46N30T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFT4N100 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFT4N100Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFT4N100Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFT50N20 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFT50N30Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class | |
IXFT50N50P3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFT50N50P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |