IXFT44N50P

更新时间： 2024-11-21 11:14:07

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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5页	295K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFT44N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.31	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1700 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	44 A
最大漏源导通电阻：	0.14 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT44N50P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

IXFH 44N50P

IXFK 44N50P

IXFT 44N50P

V_DSS= 500 V

I_D25= 44 A

R_DS(on)≤ 140 mΩ

t_rr≤ 200 ns

Fast Intrinsic Diode

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

500

V_GSM

Transient

Continuous

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

110

TO-264 (IXFK)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.7

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 10 Ω

V/ns

(TAB)

T_C=25° C

650

TO-268 (IXFT)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic case for 10 s

300

260

°C

(TAB)

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Weight

TO-247

TO-268

TO-264

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

3.0

5.0

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

T_J= 125° C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

140 mΩ

High power density

DS99366E(03/06)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFT44N50Q3	IXYS	类似代替	HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class
IXFK44N50P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH44N50P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFT44N50Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFT46N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
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IXFT4N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT4N100Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFT50N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFT50N30Q3	IXYS	获取价格	HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class
IXFT50N50P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT50N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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