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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 205K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFT4N100 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFT4N100Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFT4N100Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFT50N20 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFT50N30Q3 | IXYS |
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HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class | |
IXFT50N50P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFT50N50P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFT50N60P3 | IXYS |
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Polar3 HiperFET Power MOSFET | |
IXFT50N60P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 | |
IXFT50N60P3-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |