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IXFT44N50Q3

更新时间： 2024-11-05 11:14:07

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5页	131K
描述
HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

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IXFT44N50Q3 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	PLASTIC, TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	44 A
最大漏极电流 (ID)：	44 A	最大漏源导通电阻：	0.14 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	130 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT44N50Q3 数据手册

Advance Technical Information

HiperFET^TM

Power MOSFETs

Q3-Class

V_DSS= 500V

I_D25= 44A

IXFT44N50Q3

IXFH44N50Q3

R_DS(on)≤ 140mΩ

t_rr

≤ 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXFT)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

TO-247 (IXFH)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

130

D (Tab)

I_A

T_C= 25°C

E_AS

1.5

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

830

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

Low Intrinsic Gate Resistance

International Standard Packages

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Low R_DS(on)and Q_G

Weight

TO-268

TO-247

4.0

6.0

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

6.5

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

±100 nA

I_DSS

25 μA

Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

T_J= 125°C

1 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

140 mΩ

DS100381(09/11)

12 3 4 5

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IXFT44N50Q3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFT44N50P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFK44N50P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH44N50P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

与IXFT44N50Q3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT46N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFT4N100	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT4N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT4N100Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFT50N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFT50N30Q3	IXYS	获取价格	HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class
IXFT50N50P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT50N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT50N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFET
IXFT50N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的

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