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IXFT36N55Q

更新时间： 2024-11-05 20:03:35

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	166K
描述
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

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IXFT36N55Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	2 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	550 V	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.16 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	148 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT36N55Q 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 36N55Q

IXFT 36N55Q

V_DSS

I_D25

= 550 V

= 36 A

R_DS(on)= 0.16 Ω

t_rr≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

550

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

148

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

2.0

(TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate

= Drain

P_D

T_C= 25°C

500

S = Source TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 to +150

150

-55 to +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

Features

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

^zIXYS advanced low Q_gprocess

^zLow gate charge and capacitances

- easier to drive

Weight

TO-247

TO-268

- faster switching

^zInternational standard packages

^zLow R_{DS (on)}

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

^zRated for unclamped Inductive load

switching (UIS) rated

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

^zMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

550

2.5

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±30 V_DC, V_DS= 0

±100

Advantages

V_DS= V

= 25°C

µA

V_GS= 0^DV^SS

T_J^J= 125°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

0.16

Ω

P^Gu^Slse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

High power density

DS99003A(05/03)

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFT36N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT400N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFT400N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
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