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IXFT40N30Q

更新时间： 2024-11-04 22:32:11

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2页	55K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFT40N30Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT40N30Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 40N30Q

IXFT 40N30Q

V_DSS= 300 V

I_D25= 40 A

R_DS(on)= 80 mW

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q_g

Preliminary data sheet

TO-268 (IXFT) Case Style

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

300

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

160

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-247 AD (IXFH)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_C= 25°C

300

G = Gate

D = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

S = Source

TAB = Drain

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

Features

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Internationalstandardpackages

• Low gate charge and capacitance

- easier to drive

Weight

TO-247

TO-268

- faster switching

• Low R_{DS (on)}

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Molding epoxies meet UL94V-0

flammabilityclassification

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

V_DS= V_DSS

300

2.0

±100

Advantages

I_DSS

T_J= 25°C

T_J= 125°C

_GS= 0 V

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

80 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98504A(6/99)

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IXFT40N30Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STD18N55M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 550 V, 0.18 Î©, 13 A, MDmeshâ¢ V P
STD6N95K5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 950 V, 1 Î© typ., 9 A Zener-protect

与IXFT40N30Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT40N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT40N85XHV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFT40N85XHV	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFT42N50P2	IXYS	获取价格	PolarP2 HiperFET Power MOSFET
IXFT42N50P2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT44N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT44N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT44N50Q3	IXYS	获取价格	HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class
IXFT44N50Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFT46N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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