5秒后页面跳转
IXFT40N30Q PDF预览

IXFT40N30Q

更新时间: 2024-11-17 22:32:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

IXFT40N30Q 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-268
包装说明:TO-268, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.75其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):1000 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A最大漏极电流 (ID):40 A
最大漏源导通电阻:0.085 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-268JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IXFT40N30Q 数据手册

 浏览型号IXFT40N30Q的Datasheet PDF文件第2页 
HiPerFETTM  
Power MOSFETs  
Q-Class  
IXFH 40N30Q  
IXFT 40N30Q  
VDSS = 300 V  
ID25 = 40 A  
RDS(on) = 80 mW  
trr £ 250 ns  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg  
Preliminary data sheet  
TO-268 (IXFT) Case Style  
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW  
300  
300  
V
V
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
S
(TAB)  
ID25  
IDM  
IAR  
TC = 25°C  
40  
160  
40  
A
A
A
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
TO-247 AD (IXFH)  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
30  
mJ  
J
1.0  
(TAB)  
dv/dt  
IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS  
TJ £ 150°C, RG = 2 W  
,
5
V/ns  
PD  
TC = 25°C  
300  
W
G = Gate  
D = Drain  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
S = Source  
TAB = Drain  
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Mountingtorque  
300  
°C  
Features  
Md  
1.13/10 Nm/lb.in.  
• IXYS advanced low Qg process  
• Internationalstandardpackages  
• Low gate charge and capacitance  
- easier to drive  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
- faster switching  
• Low RDS (on)  
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
• Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
• Molding epoxies meet UL94V-0  
flammabilityclassification  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 mA  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
VDS = VDSS  
300  
2.0  
V
V
4
±100  
nA  
Advantages  
IDSS  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
25  
1
mA  
mA  
V
GS = 0 V  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %  
• Easy to mount  
• Space savings  
• High power density  
RDS(on)  
80 mW  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
98504A(6/99)  
1 - 2  

IXFT40N30Q 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD18N55M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STD6N95K5 STMICROELECTRONICS

功能相似

N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect

与IXFT40N30Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFT40N50Q IXYS

获取价格

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT40N85XHV IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor
IXFT40N85XHV LITTELFUSE

获取价格

采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通
IXFT42N50P2 IXYS

获取价格

PolarP2 HiperFET Power MOSFET
IXFT42N50P2 LITTELFUSE

获取价格

功能与特色: 优点: 应用:
IXFT44N50P IXYS

获取价格

PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT44N50P LITTELFUSE

获取价格

功能与特色: 优点: 应用:
IXFT44N50Q3 IXYS

获取价格

HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class
IXFT44N50Q3 LITTELFUSE

获取价格

Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFT46N30T LITTELFUSE

获取价格

沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低