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IXFT42N50P2

更新时间： 2024-11-19 14:56:51
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力特 - LITTELFUSE /
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IXFT42N50P2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.72Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1400 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：42 A
最大漏极电流 (ID)：42 A最大漏源导通电阻：0.145 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-268AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：830 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：126 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFT42N50P2 数据手册

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Polar2TM HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 500V  
ID25 = 42A  
RDS(on) ≤ 145mΩ  
IXFH42N50P2  
IXFT42N50P2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Diode  
TO-247 (IXFH)  
G
D
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
D (Tab)  
S
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
500  
500  
V
V
VDGR  
TO-268 (IXFT)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
± 30  
± 40  
V
V
G
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
42  
A
A
S
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
126  
D (Tab)  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
42  
A
J
EAS  
1.4  
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source  
Tab = Drain  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C  
TC = 25°C  
15  
V/ns  
W
830  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
z
International Standard Packages  
Fast Intrinsic Diode  
Avalanche Rated  
Low RDS(ON) and QG  
Low Package Inductance  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z
z
z
z
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
Advantages  
z
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
500  
2.5  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 4mA  
VGS = ±30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
Applications  
4.5  
z
Switch-Mode and Resonant-Mode  
±100 nA  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
Laser Drivers  
AC and DC Motor Drives  
z
IDSS  
10 μA  
z
TJ = 125°C  
1 mA  
z
z
Robotics and Servo Controls  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
145 mΩ  
DS100255A(9/11)  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345

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与IXFT42N50P2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFT44N50P IXYS

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 		PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT44N50P LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFT44N50Q3 IXYS

获取价格

 		HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class
IXFT44N50Q3 LITTELFUSE

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 		Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFT46N30T LITTELFUSE

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