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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 154K | |
描述 | ||
功能与特色: 优点: 应用: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.72 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 1400 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 42 A |
最大漏极电流 (ID): | 42 A | 最大漏源导通电阻: | 0.145 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-268AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 830 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 126 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFT44N50P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFT44N50P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFT44N50Q3 | IXYS |
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HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class | |
IXFT44N50Q3 | LITTELFUSE |
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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 | |
IXFT46N30T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFT4N100 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFT4N100Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFT4N100Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFT50N20 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFT50N30Q3 | IXYS |
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HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class |