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IXFT36N60P

更新时间： 2024-01-21 09:03:21

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4页	268K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFT36N60P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.46	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	36 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFT36N60P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFH 36N60P

IXFK 36N60P

IXFT 36N60P

V_DSS= 600 V

I_D25= 36 A

≤ 190 mΩ

t_rr^DS(on)≤ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

600

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

D (TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

TO-268 (IXFT) Case Style

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

650

TO-264 AA (IXFK)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

M_d

Mounting torque (TO-247 & TO-264)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

TO-264

(TAB)

G = Gate

= Drain

S = Source Tab = Drain

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

International standard packages

Fast recovery diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

600

3.0

5.0

200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100

1000

µA

Advantages

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

190 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99383E(02/06)

12 3 4

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