Datasheet > IXFT400N075T2

IXFT400N075T2

更新时间： 2024-11-18 11:14:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
6页	187K
描述
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFT400N075T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	PLASTIC, TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	400 A	最大漏极电流 (ID)：	400 A
最大漏源导通电阻：	0.0023 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1000 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1000 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFT400N075T2 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 75V

I_D25= 400A

R_DS(on)≤ 2.3mΩ

IXFH400N075T2

IXFT400N075T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit, RMS

400

160

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

1000

D (Tab)

I_A

T_C= 25°C

200

1.5

E_AS

G = Gate

S = Source

= Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

Tab = Drain

1000

T_J

-55 ... +175

175

°C

Features

T_JM

T_stg

-55 ... +175

^zInternational Standard Packages

^z175°C Operating Temperature

^zHigh Current Handling Capability

^zAvalanche Rated

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zFast Intrinsic Diode

Weight

TO-247

TO-268

Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

2.0

4.0

±200 nA

Applications

I_DSS

25 μA

T_J= 150°C

V_GS= 10V, I_D= 100A, Notes 1 & 2

1.5 mA

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary- Side Switch

High Current Switching Applications

R_DS(on)

2.3 mΩ

DS100221(12/09)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXFT400N075T2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH400N075T2	IXYS	完全替代	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

与IXFT400N075T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT40N30Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT40N30Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFT40N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT40N85XHV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFT40N85XHV	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFT42N50P2	IXYS	获取价格	PolarP2 HiperFET Power MOSFET
IXFT42N50P2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT44N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT44N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT44N50Q3	IXYS	获取价格	HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

与IXFT400N075T2相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFT400N075T2

IXFT400N075T2 技术参数

IXFT400N075T2 数据手册

IXFT400N075T2 替代型号

与IXFT400N075T2相关器件

与IXFT400N075T2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFT400N075T2

IXFT400N075T2 技术参数

IXFT400N075T2 数据手册

IXFT400N075T2 替代型号

与IXFT400N075T2相关器件

与IXFT400N075T2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？