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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMD, 4 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 450 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH30N45S | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 450V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTH30N50 | IXYS |
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MegaMOS FET |
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| IXTH30N50L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
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| IXTH30N50L2 | IXYS |
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Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTH30N50L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTH30N50P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXTH30N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTH30N50S | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTH30N60L2 | IXYS |
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Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA |
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| IXTH30N60L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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