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IXTH30N50L2

更新时间： 2024-02-21 15:53:58

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力特 - LITTELFUSE		开关
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6页	179K
描述
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应

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LinearL2^TM

Power MOSFET

w/ Extended FBSOA

V_DSS= 500V

I_D25= 30A

R_DS(on) 215m

IXTH30N50L2

IXTQ30N50L2

IXTT30N50L2

_OD

TO-268 (IXTT)

N-Channel Enhancement Mode

R_Gi

D (Tab)

TO-3P (IXTQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

500

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 20

 30

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-247 (IXTH)

I_A

T_C= 25C

E_AS

1.5

P_D

T_C= 25C

400

T_J

-55 ... +150

150



C

D (Tab)

T_JM

T_stg

-55 ... +150

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247&TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Features

Weight

TO-268

TO-3P

TO-247

4.0

5.5

6.0

^Designed for Linear Operation

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

^Guaranteed FBSOA at 75C

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

2.5

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



4.5



          100 nA

Applications

I_DSS

50 A

T_J= 125C

300 A

^Solid State Circuit Breakers

^Soft Start Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

215 m

^Linear Amplifiers

^Programmable Loads

^Current Regulators

DS99957B (02/14)

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