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IXTH30N25L2

更新时间： 2024-02-25 11:32:17

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力特 - LITTELFUSE		/
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7页	343K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTH30N25L2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

IXTH30N25L2 数据手册

Advance Technical Information

Linear L2^TM

Power MOSFET

w/ Extended FBSOA

V_DSS= 250V

I_D25= 30A

R_DS(on) 140m

IXTA30N25L2

IXTP30N25L2

IXTH30N25L2

TO-263 (IXTA)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

250

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

I_A

E_AS

T_C= 25C

P_D

T_C= 25C

355

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

D (Tab)

G = Gate

S = Source

= Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Tab = Drain

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Features

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0



Designed for Linear Operation

International Standard Packages

Avalanche Rated

Molding Epoxies Meet UL 94 V-0

Flammability Classification

Guaranteed FBSOA at 75°C



Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

250

2.5

Typ. Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



4.5

100 nA

A

Applications

I_DSS



Solid State Circuit Breakers

Soft Start Controls

Linear Amplifiers

Programmable Loads

T_J= 125C

50 A



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

140 m



Current Regulators

DS100919A(7/18)

12 3 4 5 6 7

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与IXTH30N25L2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH30N45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247AD
IXTH30N45S	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 450V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH30N50	IXYS	获取价格	MegaMOS FET
IXTH30N50L	LITTELFUSE	获取价格	当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是
IXTH30N50L2	IXYS	获取价格	Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode
IXTH30N50L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTH30N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTH30N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTH30N50S	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH30N60L2	IXYS	获取价格	Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA

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