是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 27 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTH27N40MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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IXTH27N40MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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IXTH280N055T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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IXTH28N50Q | INFINEON |
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Power MOSFETs Q-Class |
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IXTH2N150 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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IXTH2N150L | IXYS |
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MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247 |
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IXTH2N150L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力,这是 |
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IXTH2N170D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 |
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IXTH2N300P3HV | IXYS |
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MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV |
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IXTH2N300P3HV | LITTELFUSE |
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Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路 |
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