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IXTH2R4N120P

更新时间： 2024-02-24 16:56:06

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	146K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1200V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IXTH2R4N120P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.38	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.4 A	最大漏极电流 (ID)：	2.4 A
最大漏源导通电阻：	7.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH2R4N120P 数据手册

Polar ^TM

Power MOSFET

IXTA2R4N120P

IXTH2R4N120P

IXTP2R4N120P

V_DSS= 1200V

I_D25= 2.4A

R_DS(on)≤ 7.5Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

(TAB)

TO-220 (IXTP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

2.4

TO-247 (IXTH)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

2.4

200

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

125

(TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching

(UIS) rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

(TO-220, TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to mount

Space savings

High power density

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

1200

2.5

4.5

Applications:

±50 nA

μA

^zHigh Voltage Switched-mode and

resonant-mode power supplies

^zHigh Voltage Pulse Power Applications

^zHigh Voltage Discharge circuits in

Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF

Generators

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

300 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

6.5

7.5 Ω

^zHigh Voltage DC-DC converters

^zHigh Voltage DC-AC inverters

DS99873A (04/08)

12 3 4

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IXTH2R4N120P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP2R4N120P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1200V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA2R4N120P	IXYS	功能相似	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXTH2R4N120P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH300N04T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTH300N04T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH30N25	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 250V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTH30N25	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 250V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTH30N25L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH30N45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247AD
IXTH30N45S	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 450V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH30N50	IXYS	获取价格	MegaMOS FET
IXTH30N50L	LITTELFUSE	获取价格	当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是
IXTH30N50L2	IXYS	获取价格	Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode

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