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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 352K |  |
| 描述 | ||
| Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.38 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 7.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH300N04T2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTH300N04T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH30N25 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 250V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTH30N25 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 250V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTH30N25L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH30N45 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247AD |
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| IXTH30N45S | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 450V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTH30N50 | IXYS |
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MegaMOS FET |
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| IXTH30N50L | LITTELFUSE |
获取价格 |
当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
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| IXTH30N50L2 | IXYS |
获取价格 |
Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode |
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