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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 27 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH27N35MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH27N40MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH27N40MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH280N055T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH28N50Q | INFINEON |
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Power MOSFETs Q-Class |
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| IXTH2N150 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTH2N150L | IXYS |
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MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247 |
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| IXTH2N150L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
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| IXTH2N170D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电 |
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| IXTH2N300P3HV | IXYS |
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MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV |
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