是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-247 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 55 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 280 A | 最大漏极电流 (ID): | 280 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0032 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 550 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 600 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTH240N055T | IXYS |
类似代替 ![]() |
TrenchMV Power MOSFET |
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IXTH260N055T2 | IXYS |
类似代替 ![]() |
TrenchT2TM Power MOSFET |
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IXTA260N055T2-7 | IXYS |
功能相似 ![]() |
Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTH28N50Q | INFINEON |
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Power MOSFETs Q-Class |
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IXTH2N150 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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IXTH2N150L | IXYS |
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MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247 |
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IXTH2N150L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力,这是 |
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IXTH2N170D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 |
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IXTH2N300P3HV | IXYS |
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MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV |
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IXTH2N300P3HV | LITTELFUSE |
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Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路 |
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IXTH2R4N120P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1200V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IXTH2R4N120P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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IXTH300N04T2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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