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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-247AD | 包装说明： | PLASTIC, TO-247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 600 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 300 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 300 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 480 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 900 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTA300N04T2-7 | IXYS |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH30N25 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 250V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IXTH30N25 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 250V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IXTH30N25L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTH30N45 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247AD |
|
| IXTH30N45S | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 450V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTH30N50 | IXYS |
获取价格 |
MegaMOS FET |
|
| IXTH30N50L | LITTELFUSE |
获取价格 |
当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
|
| IXTH30N50L2 | IXYS |
获取价格 |
Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTH30N50L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
|
| IXTH30N50P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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