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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 250K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.76 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTH27N35MA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5) | |
IXTH27N35MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTH27N40MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTH27N40MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTH280N055T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTH28N50Q | INFINEON |
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Power MOSFETs Q-Class | |
IXTH2N150 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 | |
IXTH2N150L | IXYS |
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MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247 | |
IXTH2N150L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力,这是 | |
IXTH2N170D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 |