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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 600 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 260 A | 最大漏极电流 (ID)： | 260 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0033 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 480 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 780 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTH240N055T | IXYS |
类似代替  |
TrenchMV Power MOSFET |
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| IXTH280N055T | IXYS |
类似代替 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
|
| IXTA260N055T2-7 | IXYS |
功能相似 |
Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH26N45 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXTH26N50 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXTH26N60P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTH26N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTH26P20P | IXYS |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
|
| IXTH26P20P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻( |
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| IXTH270N04T4 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTH270N04T4 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IXTH27N35MA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5) |
|
| IXTH27N35MB | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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