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IXTH24P20

更新时间： 2024-11-20 22:11:03

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描述
Standard Power MOSFET

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IXTH24P20 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.5	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	24 A
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH24P20 数据手册

IXTH 24P20

V_DSS

I_D25

= 200 V

= 24 A

Standard Power MOSFET

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

R_DS(on)= 0.15 Ω

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

-200

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

-24

-96

-24

T_C= 25°C, pulse width limited by T_J

T_C= 25°C

G = Gate,

S = Source,

D=Drain,

TAB = Drain

E_AR

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

• International standard package

JEDEC TO-247 AD

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

-55 ... +150

T_L

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

• Low package inductance (<5 nH)

- easy to drive and to protect

Applications

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• High side switching

• Push-pull amplifiers

• DC choppers

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= -250 µA

-200

-3.0

• Automatic test equipment

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= -250 µA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

-5.0

±100

-25

µA

Advantages

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

I_DSS

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

-1 mA

R_DS(on)

V_GS= -10 V, I_D= 0.5 I_D25

0.15

Ω

• High power density

98769B (2/02)

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IXTH24P20 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTT24P20	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFP9240PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与IXTH24P20相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH250N075T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH260N055T2	IXYS	获取价格	TrenchT2TM Power MOSFET
IXTH260N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTH26N45	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH26N50	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH26N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH26N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH26P20P	IXYS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH26P20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTH270N04T4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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