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IXTH200N10T

更新时间： 2024-09-16 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	199K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTH200N10T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Base Number Matches：	1

IXTH200N10T 数据手册

TrenchMV^TMPower

MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 200A

R_DS(on)≤ 5.5mΩ

IXTH200N10T

IXTQ200N10T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

100

V_DGR

(TAB)

V_GSM

Transient

± 30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

200

TO-3P (IXTQ)

500

I_A

T_C= 25°C

1.5

E_AS

P_D

550

(TAB)

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +175

G = Gate

S = Source

TAB

Drain

T_L

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Features

M_d

Mountingtorque

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-3P

6.0

5.5

^ꢀInternationalstandardpackages

^ꢀ175°COperatingTemperature

^ꢀAvalancheRated

ꢀ

Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

ꢀ

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

Highpowerdensity

ꢀ

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

100

2.5

ꢀ

4.5

Applications

±200 nA

μA

ꢀ

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

Automotive

- MotorDrives

- High Side Switch

- 12VBattery

T_J= 150°C

250 μA

5.5 mΩ

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 50A, Notes 1, 2

4.5

- ABS Systems

ꢀ

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary - Side Switch

High Current Switching Applications

ꢀ

DS99654A(10/08)

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