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IXTH20N50D

更新时间： 2024-11-06 20:59:03

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	135K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AA, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IXTH20N50D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.33 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	400 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH20N50D 数据手册

V_DSX= 500V

I_D25= 20A

R_DS(on)≤ 330mΩ

High Voltage MOSFET

IXTH20N50D

IXTT20N50D

N-Channel, Depletion Mode

TO-268 (IXTT)

D (TAB)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

500

TO-247 (IXTH)

V_DGX

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

D (TAB)

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

P_D

T_C= 25°C

400

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-268

TO-247

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL 94 V-0

Flammability Classification

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

-1.5

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSS

V_GS= -10V, I_D= 250μA

V_DS= 25V, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= -10V

- 3.5

±100 nA

Applications

I_DSS

25 μA

500 μA

• Level Shifting

• Triggers

T_J= 125°C

• Solid State Relays

• Current Regulators

• Active Load

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 10V, I_D= 10A, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

330 mΩ

2.3

DS99192B(5/09)

12 3 4 5

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