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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXTH20N55MB | IXYS | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH20N60 | IXYS | MegaMOS FET |
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| IXTH20N60 | LITTELFUSE | 高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTH20N60MA | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
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| IXTH20N60MB | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
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| IXTH20N65X | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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