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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH20N55MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH20N60 | IXYS |
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MegaMOS FET |
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| IXTH20N60 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTH20N60MA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
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| IXTH20N60MB | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
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| IXTH20N65X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH20N65X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH20P25 | IXYS |
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Transistor |
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| IXTH20P50P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTH20P50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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