IXTH20N60

更新时间： 2024-09-15 22:47:59

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MegaMOS FET

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IXTH20N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.33	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.35 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	300 W
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH20N60 数据手册

MegaMOS^TMFET

IXTH 20N60 V_DSS= 600 V

IXTM 20N60 I_D25= 20 A

R_DS(on)= 0.35 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Symbol

Test Conditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D(TAB)

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C

15N60

20N60

TO-204 AE (IXTM)

I_DM

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

15N60

20N60

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

300 °C

Weight

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Features

Internationalstandardpackages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Fast switching times

Symbol

Test Conditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

Motorcontrol

UninterruptiblePowerSupplies(UPS)

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

600

V_GS(th)

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

200 µA

Advantages

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

0.35

Ω

Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

91537E(5/96)

1 - 4

12 3 4

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IXTH20N60 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SPW35N60CFD	INFINEON	功能相似	CoolMOS Power Transistor
STW20NM60FD	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 600V - 0.26W - 20A TO-220/TO-220FP/TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)
STW20NM60	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET

与IXTH20N60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH20N60MA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-247(5)
IXTH20N60MB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-247(5)
IXTH20N65X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH20N65X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH20P25	IXYS	获取价格	Transistor
IXTH20P50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTH20P50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH21N45	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH21N50	IXYS	获取价格	MegaMOSFET
IXTH21N50	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉

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