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SPW35N60CFD

更新时间： 2024-11-15 03:31:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲高压局域网
页数 文件大小 规格书
12页 383K
描述
CoolMOS Power Transistor

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SPW35N60CFD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-247AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.44
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：34.1 A
最大漏极电流 (ID)：34.1 A最大漏源导通电阻：0.118 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：313 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：85 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPW35N60CFD 数据手册

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SPW35N60CFD  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
V DS  
600  
0.118  
34  
V
Ω
A
• New revolutionary high voltage technology  
• Intrinsic fast-recovery body diode  
• Extremely low reverse recovery charge  
• Ultra low gate charge  
R DS(on),max  
I D  
PG-TO247  
• Extreme dv /dt rated  
• High peak current capability  
• Periodic avalanche rated  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
SPW35N60CFD  
PG-TO247  
Q67045A5053  
35N60CFD  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
34.1  
21.6  
85  
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
E AR  
I AR  
I D=10 A, V DD=50 V  
I D=20 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
1300  
1
mJ  
2),3)  
2),3)  
20  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
Drain source voltage slope  
Reverse diode dv /dt  
I D=34.1 A, V DS=480 V,  
T j=125 °C  
80  
dv /dt  
dv /dt  
V/ns  
40  
600  
V/ns  
A/µs  
V
I S=34.1 A, V DS=480 V,  
T j=125 °C  
Maximum diode commutation speed di /dt  
V GS  
±20  
Gate source voltage  
static  
±30  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
313  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-55 ... 150  
Operating and storage temperature  
°C  
Rev. 1.2  
page 1  
2005-06-28  
1234567...12

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SPW35N60CFD 替代型号

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