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IXTH1N300P3

更新时间： 2024-11-18 20:05:27

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5页	197K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTH1N300P3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.74
Base Number Matches：	1

IXTH1N300P3 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage

Power MOSFET

V_DSS

I_D25

R_DS(on) 50

= 3000V

= 1.00A

IXTA1N300P3HV

IXTH1N300P3

N-Channel Enhancement Mode

TO-263HV (IXTA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXTH)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

3000

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

I_D25

I_D110

I_DM

T_C= 25C

T_C= 110C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

1.00

0.65

2.60

G = Gate

S = Source

= Drain

P_D

T_C= 25C

195

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-247)

10..65 / 22..14.6

1.13/10

N/lb

M_d

Nm/lb.in



High Blocking Voltage

High Voltage Package



Weight

TO-263

TO-247

2.5

6.0

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

3000

2.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= 0.8 • V_DSS, V_GS= 0V

Applications

4.0



High Voltage Power Supplies

Capacitor Discharge Applications

Pulse Circuits

Laser and X-Ray Generation Systems

100 nA



I_DSS

25 A



T_J= 125C

250  A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5A, Note 1



DS100590(01/14)

12 3 4 5

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