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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.9 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH12P25 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH130N10T | IXYS |
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TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH130N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTH130N15T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH130N15T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 150V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTH130N15X4 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH130N20T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH130N20T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTH13N110 | IXYS |
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MEGA MOS FET |
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| IXTH13N110 | LITTELFUSE |
获取价格 |
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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