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IXTH12N90

更新时间： 2024-11-04 21:54:23

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MegaMOS FET

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IXTH12N90 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.3	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	300 W
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH12N90 数据手册

MegaMOS^TMFET

IXTH 12N90 V_DSS= 900 V

IXTM 12N90 I_D25= 12 A

R_DS(on)= 0.90 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Symbol

Test Conditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

900

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

TO-204 AA (IXTM)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

G = Gate,

D = Drain,

S = Source,

TAB = Drain

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

Internationalstandardpackages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Fast switching times

Symbol

Test Conditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

900

Motorcontrols

UninterruptiblePowerSupplies(UPS)

DC choppers

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

250 µA

Advantages

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

0.90

Ω

Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

91593E(5/96)

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH12N95	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH12P25	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-218VAR
IXTH130N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH130N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTH130N15T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH130N15T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 150V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTH130N15X4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH130N20T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH130N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTH13N110	IXYS	获取价格	MEGA MOS FET

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