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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH12N50MB | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH12N65X2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH12N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH12N70X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH12N80 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH12N90 | IXYS |
获取价格 |
MegaMOS FET |
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| IXTH12N95 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH12P25 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH130N10T | IXYS |
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TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH130N10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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