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IXFJ20N85X

更新时间： 2023-12-06 20:13:13

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力特 - LITTELFUSE		高电压电源栅二极管
页数	文件大小	规格书
6页	196K
描述
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通电阻，因此能够在高电压电源转换应用中实现高功率密度。这种器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有低栅

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IXFJ20N85X 数据手册

X-Class HiPerFET^TM

PowerMOSFET

V_DSS= 850V

I_D25= 9.5A

R_DS(on) 360m

IXFJ20N85X

(Electrically Isolated Tab)

ISO TO-247^TM

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Isolated Tab

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

850

G = Gate

S = Source

= Drain

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

9.5

50.0

Features

I_A

T_C= 25C

^Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

E_AS

800

V/ns

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

^Isolated Mounting Surface

^2500V~ Electrical Isolation

^Avalanche Rated

110

T_J

-55 ... +150

150

C

^Low R_DS(ON)and Q_G

^Low Package Inductance

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Advantages

F_C

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in

^High Power Density

^Easy to Mount

^Space Savings

V_ISOL

50/60 Hz, RM, t = 1min

2500

Weight

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

850

^DC-DC Converters

^Laser Drivers

^AC and DC Motor Drives

^Robotics and Servo Controls

3.5

5.5

100 nA

I_DSS

25 A

T_J= 125C

1.5 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 10A, Note 1

360 m

DS100772B(11/19)

12 3 4 5 6

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