是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 4.43 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 2500 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 300 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 94 A |
最大漏极电流 (ID): | 94 A | 最大漏源导通电阻: | 0.036 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247AD |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1040 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 235 A | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH94N30T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFH96N15P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXFH96N15P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFH96N20P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXFH96N20P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFH98N60X3 | LITTELFUSE |
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600V X3-Class超级结MOSFET IXFH98N60X3的标称额定电流为98A | |
IXFH9N100 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH9N65 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH9N80 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs - N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family | |
IXFH9N80 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |