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IXFJ36N30

更新时间： 2024-11-20 12:20:15

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描述
HiPerFET

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IXFJ36N30 数据手册

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION

HiPerFET^TM

IXTJ 36N20 V_DSS= 200 V

I_D25= 36 A

R_DS(on)= 70 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

t_rr< 200 ns

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

200

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

144

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

• Internationalstandardpackage

JEDEC TO-247 AD

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_JM

T_stg

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• Highcommutatingdv/dtrating

• Fastswitchingtimes

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

• Switch-modeandresonant-mode

power supplies

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• Motorcontrols

• Uninterruptible Power Supplies (UPS)

• DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

200

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

Advantages

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

250 µA

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I = 18A

70 mΩ

• Space savings

• High power density

Pulse test, t ≤^D300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

98859 9/01

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