IXFK120N20P

更新时间： 2024-11-05 11:14:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	601K
描述
PolarHT HiPerFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFK120N20P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.32
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.022 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	714 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK120N20P 数据手册

Advanced Technical Information

PolarHT^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFH 120N20P

IXFK 120N20P

V_DSS= 200 V

I_D25= 120 A

R_DS(on)≤ 22 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Fast Intrinsic

Diode

t_rr

≤ 140 ns

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXFH)

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 175°C

200

T^J_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

D (TAB)

I_D25

T_C= 25°C

120

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-264 (IXFK)

300

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

(TAB)

2.0

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 4 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

714

T_J

-55 ... +175

175

°C

Features

T_JM

T_stg

-55 ... +175

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-264

Advantages

Easy to mount

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Space savings

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

High power density

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200

2.5

5.0

100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25 µA

500 µA

T_J= 175°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

22 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99223(10/04)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXFK120N20P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ120N20P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXFH120N20P	IXYS	功能相似	PolarHT HiPerFET Power MOSFET

与IXFK120N20P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK120N25	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK120N25P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFK120N25P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK120N30T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK120N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK120N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFK140N20P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFK140N20P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK140N25T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK140N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

与IXFK120N20P相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK120N20P

IXFK120N20P 技术参数

IXFK120N20P 数据手册

IXFK120N20P 替代型号

与IXFK120N20P相关器件

与IXFK120N20P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK120N20P

IXFK120N20P 技术参数

IXFK120N20P 数据手册

IXFK120N20P 替代型号

与IXFK120N20P相关器件

与IXFK120N20P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？