IXFK120N20P

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
PolarHT HiPerFET Power MOSFET

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IXFK120N20P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.32
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.022 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	714 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK120N20P 数据手册

Advanced Technical Information

PolarHT^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFH 120N20P

IXFK 120N20P

V_DSS= 200 V

I_D25= 120 A

R_DS(on)≤ 22 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Fast Intrinsic

Diode

t_rr

≤ 140 ns

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXFH)

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 175°C

200

T^J_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

D (TAB)

I_D25

T_C= 25°C

120

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-264 (IXFK)

300

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

(TAB)

2.0

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 4 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

714

T_J

-55 ... +175

175

°C

Features

T_JM

T_stg

-55 ... +175

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-264

Advantages

Easy to mount

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Space savings

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

High power density

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200

2.5

5.0

100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25 µA

500 µA

T_J= 175°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

22 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99223(10/04)

12 3 4 5

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IXFK120N20P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ120N20P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXFH120N20P	IXYS	功能相似	PolarHT HiPerFET Power MOSFET

与IXFK120N20P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK120N25	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK120N25P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFK120N25P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK120N30T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK120N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK120N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFK140N20P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
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